高通量薄膜制備技術研發

材料對于推動生產力發展和社會進步起著舉足輕重的作用。關鍵材料的研發周期更是直接決定了相關領域的發展進程。隨著科技發展，對材料的功能和性能要求越來越高。傳統材料研發手段也越來越難以滿足現代社會生產發展的需求。以高溫超導材料為例，超導轉變溫度高的材料往往組分結構十分復雜。隨著組分增多，獲得準確的組分依賴的相圖的工作量呈幾何級數增長。另外，采用傳統的實驗手段很難準確合成并重復獲得到某個特定的組分，而這往往是研究量子相變，破解高溫超導機理的關鍵。

　　材料基因組技術的出現為快速構建準確的材料相圖，縮短材料的研發周期帶來了希望。組合薄膜制備技術作為材料基因組核心技術之一經歷了三個發展階段，即共磁控濺射技術，陣列掩膜板技術和組合激光分子束外延技術。

　　對于連續組分薄膜性質的研究來說，實際的測量位置與樣品組分是一一對應的，失去了位置坐標就失去了組分的信息。因此，發展更加準確的高通量薄膜制備和原位表征手段十分必要，并對包括超導材料在內的多個前沿研究領域具有重要的意義。

VTC-5RF是一款5靶頭的等離子射頻磁控濺射儀，針對于高通量MGI(材料基因組計劃)薄膜的研究。特別適合用于探索固態電解質材料，通過5種元素，按16種不同配比組合。