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            用 UNIPOL-1200M 拋光機(jī)對(duì)芯片斷面的研磨拋光

            更新時(shí)間:2021-08-30      點(diǎn)擊次數(shù):1656

            UNIPOL-1200M 拋光機(jī)對(duì)芯片斷面的研磨拋光

             

            實(shí)驗(yàn)材料:方形芯片,芯片如圖 1 所示:

            image.png 

            1 實(shí)驗(yàn)所用樣品圖

            實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?/span>對(duì)芯片側(cè)面的斷面進(jìn)行研磨拋光,并觀察研磨拋光后的斷面狀況。

            實(shí)驗(yàn)設(shè)備:科晶制造的 CXQ-2500 自動(dòng)冷鑲嵌機(jī)、UNIPOL-1200M 自動(dòng)壓力研磨拋 光機(jī)、4XC 金相顯微鏡

            實(shí)驗(yàn)所用耗材:金相砂紙、金剛石噴霧拋光劑

             

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             實(shí)驗(yàn)過(guò)程:

             鑲嵌:由于芯片比較薄,側(cè)面面積較小,不利于研磨拋光,又 UNIPOL-1200M 自 動(dòng)壓力研磨拋光機(jī)對(duì)樣品進(jìn)行研磨拋光時(shí)需要樣品呈圓柱狀,若原始樣品為適合 研磨機(jī)的載樣盤的尺寸則可直接用于研磨,否則需要將試樣鑲嵌成載樣塊所要求 尺寸的圓柱狀。鑲嵌樣品可以使用熱鑲嵌和冷鑲嵌兩種手段,本實(shí)驗(yàn)中由于芯片 的部分材料不耐熱,因此選用自動(dòng)冷鑲嵌機(jī)對(duì)試樣進(jìn)行鑲嵌。這是因?yàn)?,冷鑲?不會(huì)損傷試樣,且鑲嵌料呈透明狀態(tài),可以觀察到樣品內(nèi)部狀況,自動(dòng)冷鑲嵌可 對(duì)腔室進(jìn)行抽真空,具有排出鑲嵌料與試樣之間氣泡的功能,使樣品更牢固的鑲 嵌在水晶膠之內(nèi)而不易脫落。鑲嵌后的樣品如圖 4 所示:可見(jiàn),鑲嵌后的樣品內(nèi) 部結(jié)合緊密,無(wú)氣泡存在,這樣研磨過(guò)程中樣品不會(huì)脫落,由于鑲嵌料的透明性 可以觀察到樣品的正負(fù)面。

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            4 鑲嵌后的樣品圖

            研磨:將鑲嵌好的樣品塊放置于 UNIPOL-1200M 自動(dòng)壓力研磨拋光機(jī)的研磨盤上 進(jìn)行研磨,試樣應(yīng)在研磨盤上對(duì)稱的位置處進(jìn)行放置,防止研磨的時(shí)候載樣盤受 力不均勻而將試樣磨偏,如果試樣數(shù)量不能構(gòu)成對(duì)稱可以使用樹(shù)脂塊與之配合形 成對(duì)稱狀態(tài)進(jìn)行研磨。

            UNIPOL-1200M 自動(dòng)壓力研磨拋光機(jī)對(duì)試樣進(jìn)行研磨時(shí)研磨介質(zhì)使用砂紙, 首先使用 600#砂紙對(duì)試樣進(jìn)行研磨,上盤轉(zhuǎn)速 30r/min,下盤轉(zhuǎn)速 50r/min,下 盤順時(shí)針旋轉(zhuǎn),上盤逆時(shí)針旋轉(zhuǎn),從而保證試樣在砂紙表面承受較大的磨削力。 對(duì)試樣施加的壓力為 0.17MPa,第一次研磨應(yīng)使試樣被研磨面*去除一層,且 整個(gè)被研磨面被磨平,此過(guò)程所用時(shí)間為第一次研磨的研磨時(shí)間,本實(shí)驗(yàn)第一次研磨時(shí)間約為 5min。第一次研磨完成后將試樣、研磨上盤和下盤用清水清洗干凈, 以免給下一次研磨帶進(jìn)去污染。清洗之后將下盤砂紙換成 1200#砂紙對(duì)制樣繼續(xù) 進(jìn)行研磨,本次研磨應(yīng)將上一次研磨的研磨痕跡*去除,上盤轉(zhuǎn)速為 30r/min, 下盤轉(zhuǎn)速為 70r/min,對(duì)試樣所施加的壓力為 0.17MPa,所用的研磨時(shí)間為 3min。 研磨后將試樣、下盤和上盤用清水清洗干凈,然后使用更小顆粒度的砂紙對(duì)試樣 進(jìn)行研磨。本實(shí)驗(yàn)最后一次研磨所使用的砂紙的為 1500#的砂紙,上盤與下盤的 旋轉(zhuǎn)方向相反,上盤轉(zhuǎn)速 30r/min,下盤轉(zhuǎn)速 70r/min,對(duì)試樣施加的壓力為 0.17MPa,研磨所用的時(shí)間為 1min。研磨后將砂紙取下,將試樣、研磨盤上盤和 下盤沖洗干凈,然后換用磨砂革拋光墊對(duì)研磨后的試樣拋光,拋光時(shí)所使用的研 磨拋光液為顆粒度 1.5μm 的金剛石噴霧拋光劑,拋光樣品時(shí)上盤轉(zhuǎn)速為 40r/min,下盤轉(zhuǎn)速為 130r/min,上盤與下盤運(yùn)動(dòng)方向相反,對(duì)試樣所施加的壓 力為 0.17MPa,拋光所用的時(shí)間為 5min。試樣研磨的拋光狀態(tài)如圖 5 所示:

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            5 試樣研磨拋光狀態(tài)圖

             

            觀察:由于芯片厚度較薄,用肉眼很難觀察清楚研磨后的試樣的表面狀態(tài),因此 使用顯微鏡對(duì)研磨后的試樣進(jìn)行觀察。本實(shí)驗(yàn)使用的是 4XC 倒置金相顯微鏡,通 過(guò)觀察可見(jiàn)拋光后的樣品表面平滑光亮,無(wú)劃痕存在,不同材料的分界明顯。

             

            可見(jiàn),用 UNIPOL-1200M 自動(dòng)壓力研磨拋光機(jī)十分適合鑲嵌成圓柱的小試樣或圓 柱狀的試樣的研磨拋光,且可同時(shí)對(duì)多個(gè)樣品進(jìn)行研磨拋光。不僅節(jié)省人力同時(shí) 節(jié)省了大量的時(shí)間,是實(shí)驗(yàn)室研磨小型樣品時(shí)可選前列的設(shè)備。


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