PECVD等離子體增強(qiáng)氣相沉積是一款1200℃等離子增強(qiáng)混合物理化學(xué)氣相沉積（HPCVD)雙溫區(qū)回轉(zhuǎn)爐系統(tǒng)源（帶自動(dòng)匹配功能）、上游原位蒸發(fā)舟、4通道質(zhì)子流量計(jì)控制系統(tǒng)及性能優(yōu)異的真空泵組成。此于無機(jī)復(fù)合粉末的熱處理及粉末表面的均勻包覆（如：制備鋰離子電池陰極粉末的導(dǎo)電涂層等）。

CVD（ChemicalVaporDeposition，化學(xué)氣相沉積）是一種用于薄膜沉積的技術(shù)。它通過將氣態(tài)化學(xué)前驅(qū)體反應(yīng)成固態(tài)沉積物，在基材表面形成薄膜。CVD廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、光伏設(shè)備、涂層和材料科學(xué)等領(lǐng)域。

雙通道ALD管式爐系統(tǒng)ALD-1200X-4是一款4英寸管式爐系統(tǒng)，包含用于原子層沉積的2個(gè)ALD進(jìn)氣閥、1個(gè)精密液體氣相發(fā)CVD生長納米材料和薄膜材料的4通道質(zhì)子流量計(jì)控制系統(tǒng)。該管式爐系統(tǒng)簡潔的設(shè)計(jì)使得更多的科擔(dān)的低成本情況下實(shí)現(xiàn)ALD工藝實(shí)驗(yàn)。

GSL-1100X-III-D11是一款大面積雙管石墨烯生長爐，其最高溫度可以達(dá)到1100℃。特殊的雙管設(shè)計(jì)，法在箔材上大面積生長材料（面積：~7000 cm^2，箔材纏繞在內(nèi)管的外壁上）。一個(gè)送管裝置可以外管內(nèi)部或從外管中取出。此款設(shè)備特別適合大面積生長石墨烯和柔性電極材料。

1200℃等離子增強(qiáng)HPCVD回轉(zhuǎn)爐系統(tǒng)，OTF-1200X-II-PEC4是一款1200℃等離子增強(qiáng)混合物理化學(xué)氣相沉積（HPCVD)雙溫區(qū)回轉(zhuǎn)爐系統(tǒng)源（帶自動(dòng)匹配功能）、上游原位蒸發(fā)舟、4通道質(zhì)子流量計(jì)控制系統(tǒng)及性能優(yōu)異的真空泵組成。此于無機(jī)復(fù)合粉末的熱處理及粉末表面的均勻包覆（如：制備鋰離子電池陰極粉末的導(dǎo)電涂層等）。

GSL-1700X-HVC是一款CE認(rèn)證的二通道高真空CVD系統(tǒng)，它是由二路質(zhì)子混氣系統(tǒng)和高真空機(jī)組組度可達(dá)1600℃，極限真空度可達(dá) to 10^-5 torr。混氣系統(tǒng)可以對兩種氣體進(jìn)行精確的混氣，然后導(dǎo)