PECVD等離子體增強(qiáng)氣相沉積是一款1200℃等離子增強(qiáng)混合物理化學(xué)氣相沉積（HPCVD)雙溫區(qū)回轉(zhuǎn)爐系統(tǒng)源（帶自動(dòng)匹配功能）、上游原位蒸發(fā)舟、4通道質(zhì)子流量計(jì)控制系統(tǒng)及性能優(yōu)異的真空泵組成。此于無機(jī)復(fù)合粉末的熱處理及粉末表面的均勻包覆（如：制備鋰離子電池陰極粉末的導(dǎo)電涂層等）。

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更新時(shí)間：2025-03-13
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    PECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積是一種利用等離子體來促進(jìn)氣體反應(yīng)的CVD技術(shù)。其特點(diǎn)包括：

    1、低溫沉積：PECVD可以在較低的基材溫度下進(jìn)行，因?yàn)榈入x子體提供的能量能夠促進(jìn)氣體反應(yīng)，降低沉積溫度的需求。

    2、高沉積速率：等離子體增強(qiáng)了氣體反應(yīng)速率，從而提高了薄膜沉積速率。

    3、良好的膜質(zhì)量：PECVD沉積的薄膜通常具有較好的均勻性和較低的缺陷密度，適用于需要高質(zhì)量薄膜的應(yīng)用。

    4、適應(yīng)性強(qiáng)：可以沉積多種材料，包括氧化物、氮化物和氟化物等，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電器件和保護(hù)涂層等領(lǐng)域。

    5、控制性好：通過調(diào)整等離子體的參數(shù)（如功率、氣體流量和壓力），可以精確控制薄膜的成分和性質(zhì)。

    加熱爐參數(shù)

    ?最高溫度：1200ºC（<30min），連續(xù)工作溫度：1100℃；

    ?兩個(gè)PID溫度控制器及30段可編程溫控系統(tǒng)；

    ?輸入功率：208-240V，單相，最大功率：2.5KW；

    ?高純氧化鋁纖維保溫層可以最大限度降低能耗；

    ?回轉(zhuǎn)爐旋轉(zhuǎn)速度：2-10rpm；

    ?爐體開啟式設(shè)計(jì)，以達(dá)到對樣品快速降溫，方便更換爐管。

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